IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon (10103266)
IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28н...
Описание
IKW75N65EH5 — силовой биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, технология TRENCHSTOP 5. Максимальное напряжение коллектор–эмиттер VCES=650 В, непрерывный ток коллектора до 90 А при температуре корпуса Tc=25 °C и 75 А при Tc=100 °C. В составе есть антипараллельный быстрый диод. Корпус PG-TO247-3, три вывода (Gate, Collector, Emitter), THT. Применяется для PFC, высокочастотных преобразователей, инверторов, сварочного и приводного оборудования.
Эта карточка уже существовала в 1С и на сайте до получения новой заявки; сохранились цена 290 ₽, складской остаток 134 шт., учётный артикул 10103266 и год выпуска прежней партии 2021. Новая заявка не содержит цены, года и количества поставки, поэтому никаких поступлений и новых цен не оформлено.
Официальная документация: https://www.infineon.com/part/IKW75N65EH5
Условия передачи
Доставка в другие города
Поделиться этим лотом:

